BSB015N04NX3GXUMA1

สังเกต: Rochester Electronics BSB015N04NX3GXUMA1 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	OptiMOS™
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	40 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	36A (Ta), 180A (Tc)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	1.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	142 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	12 pF @ 20 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	2.8W (Ta), 89W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	MG-WDSON-2, CanPAK M™
แพ็คเกจ / กรณี	3-WDSON

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 6089

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	BSB012NE2LXIXUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSB044N08NN3GXUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSB056N10NN3GXUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSB028N06NN3GXUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSB008NE2LXXUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSB015N04NX3GXUMA1 Rochester Electronics
	BSB019N03LX G IR (Infineon Technologies)
	BSB012NE2LX IR (Infineon Technologies)
	BSB014N04LX3GXUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSB024N03LX G IR (Infineon Technologies)

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว