IPB200N15N3GATMA1

สังเกต: IR (Infineon Technologies) IPB200N15N3GATMA1 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	OptiMOS™
แพ็คเกจ	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	150 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	50A (Tc)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	8V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	20mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	31 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1820 pF @ 75 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	150W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	D²PAK (TO-263AB)
แพ็คเกจ / กรณี	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 454

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	IPB22N03S4L15ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPB240N03S4LR8ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPB200N25N3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPB240N04S4R9ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPB200N15N3 Rochester Electronics
	IPB260N06N3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPB26CN10NGATMA1 Rochester Electronics
	IPB240N04S41R0ATMA1 Rochester Electronics
	IPB260N06N3G Rochester Electronics
	IPB200N15N3GATMA1 IR (Infineon Technologies)

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว