MMSF7P03HDR2G

สังเกต: Rochester Electronics MMSF7P03HDR2G มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Obsolete
ประเภท FET	P-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	30 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	7A (Ta)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	35mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	75.8 nC @ 6 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1.68 pF @ 24 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	2.5W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	8-SOIC
แพ็คเกจ / กรณี	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 25260

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	MMSF2P02ER2 Rochester Electronics
	MMSF3P02HDR2G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	MMSF4N01HDR2 Rochester Electronics
	MMSF7P03HDR2G Rochester Electronics
	MMSF7N03ZR2 Rochester Electronics
	MMSF3350R2 Rochester Electronics
	MMSF7N03HDR2 Rochester Electronics
	MMSF10N03ZR2 Rochester Electronics
	MMSF3P02HDR2SG Rochester Electronics
	MMSF1310R2 Rochester Electronics

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว