BSC22DN20NS3GATMA1

สังเกต: IR (Infineon Technologies) BSC22DN20NS3GATMA1 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	OptiMOS™
แพ็คเกจ	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	200 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	7A (Tc)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	225mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 13µA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	5.6 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	430 pF @ 100 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	34W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	PG-TDSON-8-5
แพ็คเกจ / กรณี	8-PowerTDFN

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	BSC205N10LSG Rochester Electronics
	BSC200P03LSGAUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSC205N10LS G Rochester Electronics
	BSC252N10NSFGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSC220N20NSFDATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSC240N12NS3G Rochester Electronics
	BSC22DN20NS3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSC265N10LSFGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSC200P03LSG Rochester Electronics
	BSC240N12NS3 G Rochester Electronics

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว