TJ50S06M3L(T6L1,NQ

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	TJ50S06M3L(T6L1,NQ
ผู้ผลิต:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ส่วนหนึ่งของคำอธิบาย:	MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
แผ่นข้อมูล:	TJ50S06M3L(T6L1,NQ แผ่นข้อมูล
สถานะไร้สารตะกั่ว / สถานะ RoHS:	ไร้สารตะกั่ว / ได้มาตรฐาน RoHS
สภาพสต็อค:	มีสินค้า
จัดส่งจาก:	Hong Kong
วิธีการจัดส่ง:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

สังเกต: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TJ50S06M3L(T6L1,NQ มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	U-MOSVI
แพ็คเกจ	Tape & Reel (TR)
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท FET	P-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	60 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	50A (Ta)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	13.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	124 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	+10V, -20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	6290 pF @ 10 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	90W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	DPAK+
แพ็คเกจ / กรณี	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	TJ50S06M3L(T6L1,NQ Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TJ50S06M3L,LXHQ Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว