APTC90DAM60T1G

สังเกต: Microsemi APTC90DAM60T1G มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	CoolMOS™
แพ็คเกจ	Tray
สถานะชิ้นส่วน	Obsolete
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	900 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	59A (Tc)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	60mOhm @ 52A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	3.5V @ 6mA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	540 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	13600 pF @ 100 V
คุณสมบัติ FET	Super Junction
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	462W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Chassis Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	SP1
แพ็คเกจ / กรณี	SP1

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	APTC60DAM18CTG Roving Networks / Microchip Technology
	APTC90DAM60T1G Microsemi
	APTC60SKM24T1G Roving Networks / Microchip Technology
	APTC60SKM35T1G Microsemi
	APTC60DAM24CT1G Microsemi
	APTC90SKM60CT1G Roving Networks / Microchip Technology
	APTC80SK15T1G Microsemi
	APTC80DA15T1G Microsemi
	APTC90SKM60T1G Microsemi
	APTC60DAM35T1G Microsemi

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว