TPN4R712MD,L1Q

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	TPN4R712MD,L1Q
ผู้ผลิต:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ส่วนหนึ่งของคำอธิบาย:	MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
แผ่นข้อมูล:	TPN4R712MD,L1Q แผ่นข้อมูล
สถานะไร้สารตะกั่ว / สถานะ RoHS:	ไร้สารตะกั่ว / ได้มาตรฐาน RoHS
สภาพสต็อค:	มีสินค้า
จัดส่งจาก:	Hong Kong
วิธีการจัดส่ง:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

สังเกต: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPN4R712MD,L1Q มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	U-MOSVI
แพ็คเกจ	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท FET	P-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	20 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	36A (Tc)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	4.7mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	1.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	65 nC @ 5 V
Vgs (สูงสุด)	±12V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	4300 pF @ 10 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	42W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	8-TSON Advance (3.3x3.3)
แพ็คเกจ / กรณี	8-PowerVDFN

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 6602

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	TPN4R203NC,L1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TPN4R712MD,L1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TPN4R303NL,L1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TPN4R806PL,L1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว