ES6U41T2R

สังเกต: ROHM Semiconductor ES6U41T2R มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Tape & Reel (TR)
สถานะชิ้นส่วน	Last Time Buy
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	30 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	1.5A (Ta)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	240mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	2.2 nC @ 4.5 V
Vgs (สูงสุด)	±12V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	80 pF @ 10 V
คุณสมบัติ FET	Schottky Diode (Isolated)
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	700mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน	150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	6-WEMT
แพ็คเกจ / กรณี	SOT-563, SOT-666

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	ES6U42T2R ROHM Semiconductor
	ES6U1T2R ROHM Semiconductor
	ES6U2T2R ROHM Semiconductor
	ES6U41T2R ROHM Semiconductor
	ES6U3T2CR ROHM Semiconductor
	ES6U41FU7T2CR ROHM Semiconductor
	ES6U41FU7T2R ROHM Semiconductor
	ES6U42FU7T2R ROHM Semiconductor
	ES6U42FU7T2CR ROHM Semiconductor

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว