PMT200EPEA115

สังเกต: Rochester Electronics PMT200EPEA115 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	*
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท FET	-
เทคโนโลยี	-
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	-
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	-
Vgs (สูงสุด)	-
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	-
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	-
อุณหภูมิในการทำงาน	-
ประเภทการติดตั้ง	-
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	-
แพ็คเกจ / กรณี	-

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 205000

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	PMT200EN,135 Rochester Electronics
	PMT21EN,115 Nexperia
	PMT29EN,135 NXP Semiconductors
	PMT21EN,135 NXP Semiconductors
	PMT200EPEA115 Rochester Electronics
	PMT200EN,115 Rochester Electronics
	PMT280ENEAX Nexperia
	PMT29EN,115 Rochester Electronics
	PMT200EPEX Nexperia
	PMT200EPEAX Rochester Electronics

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว