NTHD4P02FT1

สังเกต: Rochester Electronics NTHD4P02FT1 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Obsolete
ประเภท FET	P-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	20 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	2.2A (Tj)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	155mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	6 nC @ 4.5 V
Vgs (สูงสุด)	±12V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	300 pF @ 10 V
คุณสมบัติ FET	Schottky Diode (Isolated)
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	1.1W (Tj)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	ChipFET™
แพ็คเกจ / กรณี	8-SMD, Flat Lead

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 20955

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	NTHD4N02FT1 Rochester Electronics
	NTHD3101FT1G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NTHD4N02FT1G Rochester Electronics
	NTHD5904NT3 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NTHD3101FT3 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NTHD2110TT1G Rochester Electronics
	NTHD4P02FT1 Rochester Electronics
	NTHD5904NT1G Rochester Electronics
	NTHD5904NT1 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NTHD4P02FT1G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว