ROHM Semiconductor / QS5U16TR
รูปภาพใช้สำหรับอ้างอิง โปรดติดต่อเราเพื่อรับรูปภาพจริง
QS5U16TR
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | QS5U16TR |
| ผู้ผลิต: | ROHM Semiconductor |
| ส่วนหนึ่งของคำอธิบาย: | MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5 |
| แผ่นข้อมูล: | QS5U16TR แผ่นข้อมูล |
| สถานะไร้สารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | ไร้สารตะกั่ว / ได้มาตรฐาน RoHS |
| สภาพสต็อค: | มีสินค้า |
| จัดส่งจาก: | Hong Kong |
| วิธีการจัดส่ง: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- สังเกต
- ROHM Semiconductor QS5U16TR มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา
ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD
ข้อมูลจำเพาะ
| พิมพ์ | คำอธิบาย |
|---|---|
| ชุด | - |
| แพ็คเกจ | Tape & Reel (TR) |
| สถานะชิ้นส่วน | Active |
| ประเภท FET | N-Channel |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) |
| แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss) | 30 V |
| ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C | 2A (Ta) |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 2A, 4.5V |
| Vgs (th) (สูงสุด) @ Id | 1.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 3.9 nC @ 4.5 V |
| Vgs (สูงสุด) | ±12V |
| ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds | 175 pF @ 10 V |
| คุณสมบัติ FET | Schottky Diode (Isolated) |
| การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด) | 900mW (Ta) |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount |
| แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์ | TSMT5 |
| แพ็คเกจ / กรณี | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน
ขั้นต่ำ: 1
| ปริมาณ | ราคาต่อหน่วย | ต่อ ราคา |
|---|---|---|
ไม่มีราคา กรุณา RFQ |
||
การคำนวณค่าขนส่ง
US $40 โดยเฟดเอ็กซ์
มาถึงใน 3-5 วัน
ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก
เพิ่มในรถเข็นแล้ว!
รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว