RF4E060AJTCR

สังเกต: ROHM Semiconductor RF4E060AJTCR มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	30 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	6A (Ta)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	37mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	4 nC @ 4.5 V
Vgs (สูงสุด)	±12V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	450 pF @ 15 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	2W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน	150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	HUML2020L8
แพ็คเกจ / กรณี	8-PowerUDFN

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 2950

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	RF4E110BNTR ROHM Semiconductor
	RF4E070BNTR ROHM Semiconductor
	RF4E070GNTR ROHM Semiconductor
	RF4E060AJTCR ROHM Semiconductor
	RF4E080GNTR ROHM Semiconductor
	RF4E075ATTCR ROHM Semiconductor
	RF4E100AJTCR ROHM Semiconductor
	RF4E110GNTR ROHM Semiconductor
	RF4E080BNTR ROHM Semiconductor

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว