IPS70R1K4P7SAKMA1

สังเกต: IR (Infineon Technologies) IPS70R1K4P7SAKMA1 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	CoolMOS™ P7
แพ็คเกจ	Tube
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	700 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	4A (Tc)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	1.4Ohm @ 700mA, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	3.5V @ 40µA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	4.7 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±16V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	158 pF @ 400 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	22.7W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	PG-TO251-3
แพ็คเกจ / กรณี	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 57

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	IPS70R900P7SAKMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPS70R600P7SAKMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPS70R1K4CEAKMA1 Rochester Electronics
	IPS70R2K0CEAKMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPS70R600CEAKMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPS70R1K4P7SAKMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPS70R950CEAKMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPS70R360P7SAKMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPS70R600CEAKMA2 IR (Infineon Technologies)
	IPS70R2K0CEE8211 IR (Infineon Technologies)

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว