IMBG120R030M1HXTMA1

สังเกต: IR (Infineon Technologies) IMBG120R030M1HXTMA1 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	CoolSiC™
แพ็คเกจ	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	1.2 kV
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	56A (Tc)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	41mOhm @ 25A, 18V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	5.7V @ 11.5mA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	63 nC @ 18 V
Vgs (สูงสุด)	+18V, -15V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	2.29 nF @ 800 V
คุณสมบัติ FET	Standard
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	300W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	PG-TO263-7-12
แพ็คเกจ / กรณี	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	IMBG120R140M1HXTMA1 IR (Infineon Technologies)
	IMBG120R220M1HXTMA1 IR (Infineon Technologies)
	IMBG120R045M1HXTMA1 IR (Infineon Technologies)
	IMBG120R090M1HXTMA1 IR (Infineon Technologies)
	IMBG120R030M1HXTMA1 IR (Infineon Technologies)
	IMBG120R350M1HXTMA1 IR (Infineon Technologies)
	IMBG120R060M1HXTMA1 IR (Infineon Technologies)

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว