BSH111,235

สังเกต: Nexperia BSH111,235 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	TrenchMOS™
แพ็คเกจ	Tape & Reel (TR)
สถานะชิ้นส่วน	Obsolete
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	55 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	335mA (Ta)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	4Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	1.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	1 nC @ 8 V
Vgs (สูงสุด)	±10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	40 pF @ 10 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	830mW (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-65°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TO-236AB
แพ็คเกจ / กรณี	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	BSH111BKR Nexperia
	BSH112,235 Rochester Electronics
	BSH105,235 Nexperia
	BSH111BK215 Rochester Electronics
	BSH121,135 Rochester Electronics
	BSH105,215 Nexperia
	BSH103,235 Nexperia
	BSH111,235 Nexperia
	BSH108,215 Nexperia
	BSH103,215 Nexperia

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว