IMW120R220M1HXKSA1

สังเกต: IR (Infineon Technologies) IMW120R220M1HXKSA1 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	CoolSiC™
แพ็คเกจ	Tube
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	SiCFET (Silicon Carbide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	1.2 kV
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	13A (Tc)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 18V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	286mOhm @ 4A, 18V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	5.7V @ 1.6mA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	8.5 nC @ 18 V
Vgs (สูงสุด)	+23V, -7V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	289 pF @ 800 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	75W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	PG-TO247-3-41
แพ็คเกจ / กรณี	TO-247-3

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 696

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	IMW120R350M1HXKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IMW120R030M1HXKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IMW120R045M1XKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IMW120R060M1HXKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IMW120R090M1HXKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IMW120R220M1HXKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IMW120R140M1HXKSA1 IR (Infineon Technologies)

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว