TK62J60W,S1VQ

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	TK62J60W,S1VQ
ผู้ผลิต:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ส่วนหนึ่งของคำอธิบาย:	MOSFET N-CH 600V 61.8A TO3P
แผ่นข้อมูล:	TK62J60W,S1VQ แผ่นข้อมูล
สถานะไร้สารตะกั่ว / สถานะ RoHS:	ไร้สารตะกั่ว / ได้มาตรฐาน RoHS
สภาพสต็อค:	มีสินค้า
จัดส่งจาก:	Hong Kong
วิธีการจัดส่ง:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

สังเกต: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK62J60W,S1VQ มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	DTMOSIV
แพ็คเกจ	Tube
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	600 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	61.8A (Ta)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	38mOhm @ 30.9A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	3.7V @ 3.1mA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	180 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±30V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	6500 pF @ 300 V
คุณสมบัติ FET	Super Junction
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	400W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TO-3P(N)
แพ็คเกจ / กรณี	TO-3P-3, SC-65-3

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 62

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	TK62N60W,S1VF Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TK62N60X,S1F Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TK62J60W,S1VQ Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TK62Z60X,S1F Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว