BSF050N03LQ3GXUMA1

สังเกต: IR (Infineon Technologies) BSF050N03LQ3GXUMA1 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	OptiMOS™
แพ็คเกจ	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
สถานะชิ้นส่วน	Obsolete
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	30 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	15A (Ta), 60A (Tc)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	42 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	3000 pF @ 15 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	2.2W (Ta), 28W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	MG-WDSON-2, CanPAK M™
แพ็คเกจ / กรณี	3-WDSON

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	BSF035NE2LQXUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSF077N06NT3GXUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSF045N03MQ3 G IR (Infineon Technologies)
	BSF053N03LT G IR (Infineon Technologies)
	BSF083N03LQ G IR (Infineon Technologies)
	BSF030NE2LQXUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSF024N03LT3GXUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSF050N03LQ3GXUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSF083N03LQG Rochester Electronics
	BSF050N03LQ3G Rochester Electronics

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว