IRLD014PBF

สังเกต: Vishay / Siliconix IRLD014PBF มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Tube
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	60 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	1.7A (Ta)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	200mOhm @ 1A, 5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	8.4 nC @ 5 V
Vgs (สูงสุด)	±10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	400 pF @ 25 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	1.3W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	4-DIP, Hexdip, HVMDIP
แพ็คเกจ / กรณี	4-DIP (0.300", 7.62mm)

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 7055

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว