SKB02N60E3266ATMA1

สังเกต: Rochester Electronics SKB02N60E3266ATMA1 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท IGBT	NPT
แรงดันไฟฟ้า - การสลายตัวของตัวเก็บประจุ (สูงสุด)	600 V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด)	6 A
ปัจจุบัน - นักสะสมพัลซิ่ง (Icm)	12 A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic	2.4V @ 15V, 2A
กำลัง - สูงสุด	30 W
การเปลี่ยนพลังงาน	64µJ
ประเภทอินพุต	Standard
ค่าประตู	14 nC
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C	20ns/259ns
เงื่อนไขการทดสอบ	400V, 2A, 118Ohm, 15V
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr)	130 ns
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจ / กรณี	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	PG-TO263-3-2

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 3000

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	SKB02N60E3266ATMA1 Rochester Electronics
	SKB06N60HSATMA1 IR (Infineon Technologies)
	SKB06N60ATMA1 Rochester Electronics
	SKB02N120ATMA1 Rochester Electronics
	SKB04N60ATMA1 Rochester Electronics
	SKB02N60ATMA1 Rochester Electronics
	SKB02N60 Rochester Electronics

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว