RGT30NL65DGTL

สังเกต: ROHM Semiconductor RGT30NL65DGTL มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท IGBT	Trench Field Stop
แรงดันไฟฟ้า - การสลายตัวของตัวเก็บประจุ (สูงสุด)	650 V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด)	30 A
ปัจจุบัน - นักสะสมพัลซิ่ง (Icm)	45 A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 15A
กำลัง - สูงสุด	133 W
การเปลี่ยนพลังงาน	-
ประเภทอินพุต	Standard
ค่าประตู	32 nC
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C	18ns/64ns
เงื่อนไขการทดสอบ	400V, 15A, 10Ohm, 15V
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr)	55 ns
อุณหภูมิในการทำงาน	-40°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจ / กรณี	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	LPDS

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 1000

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	RGT30NL65DGTL ROHM Semiconductor
	RGT30NS65DGTL ROHM Semiconductor
	RGT30NS65DGC9 ROHM Semiconductor
	RGT30TM65DGC9 ROHM Semiconductor

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว