STGP30M65DF2

สังเกต: STMicroelectronics STGP30M65DF2 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Tube
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท IGBT	Trench Field Stop
แรงดันไฟฟ้า - การสลายตัวของตัวเก็บประจุ (สูงสุด)	650 V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด)	60 A
ปัจจุบัน - นักสะสมพัลซิ่ง (Icm)	120 A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 30A
กำลัง - สูงสุด	258 W
การเปลี่ยนพลังงาน	300µJ (on), 960µJ (off)
ประเภทอินพุต	Standard
ค่าประตู	80 nC
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C	31.6ns/115ns
เงื่อนไขการทดสอบ	400V, 30A, 10Ohm, 15V
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr)	140 ns
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจ / กรณี	TO-220-3
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TO-220

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	STGP3NC120HD STMicroelectronics
	STGP30H60DFB STMicroelectronics
	STGP35N35LZ STMicroelectronics
	STGP5H60DF STMicroelectronics
	STGP35HF60W STMicroelectronics
	STGP3NB60HD STMicroelectronics
	STGP40V60F STMicroelectronics
	STGP12NB60K STMicroelectronics
	STGP7NC60H STMicroelectronics
	STGP14NC60KD STMicroelectronics

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว