SGB02N120ATMA1

สังเกต: Rochester Electronics SGB02N120ATMA1 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท IGBT	NPT
แรงดันไฟฟ้า - การสลายตัวของตัวเก็บประจุ (สูงสุด)	1.2 V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด)	6.2 A
ปัจจุบัน - นักสะสมพัลซิ่ง (Icm)	9.6 A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic	3.6V @ 15V, 2A
กำลัง - สูงสุด	62 W
การเปลี่ยนพลังงาน	220µJ
ประเภทอินพุต	Standard
ค่าประตู	11 nC
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C	23ns/260ns
เงื่อนไขการทดสอบ	800V, 2A, 91Ohm, 15V
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr)	-
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจ / กรณี	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	PG-TO263-3-2

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 235

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	SGB07N120ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	SGB02N120ATMA1 Rochester Electronics
	SGB06N60ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	SGB02N120CT Rochester Electronics
	SGB02N60ATMA1 IR (Infineon Technologies)

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว