FGH50T65SQD-F155

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	FGH50T65SQD-F155
ผู้ผลิต:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ส่วนหนึ่งของคำอธิบาย:	IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3
แผ่นข้อมูล:	FGH50T65SQD-F155 แผ่นข้อมูล
สถานะไร้สารตะกั่ว / สถานะ RoHS:	ไร้สารตะกั่ว / ได้มาตรฐาน RoHS
สภาพสต็อค:	มีสินค้า
จัดส่งจาก:	Hong Kong
วิธีการจัดส่ง:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

สังเกต: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FGH50T65SQD-F155 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Tube
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท IGBT	Trench Field Stop
แรงดันไฟฟ้า - การสลายตัวของตัวเก็บประจุ (สูงสุด)	650 V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด)	100 A
ปัจจุบัน - นักสะสมพัลซิ่ง (Icm)	200 A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 50A
กำลัง - สูงสุด	268 W
การเปลี่ยนพลังงาน	180µJ (on), 45µJ (off)
ประเภทอินพุต	Standard
ค่าประตู	99 nC
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C	22ns/105ns
เงื่อนไขการทดสอบ	400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr)	31 ns
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจ / กรณี	TO-247-3
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TO-247-3

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 1900

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	FGH50T65UPD Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FGH50T65SQD-F155 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FGH50N6S2D Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FGH50N6S2 Rochester Electronics
	FGH50N3 Rochester Electronics

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว