STGB20NB37LZ

สังเกต: STMicroelectronics STGB20NB37LZ มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	PowerMESH™
แพ็คเกจ	Tube
สถานะชิ้นส่วน	Obsolete
ประเภท IGBT	-
แรงดันไฟฟ้า - การสลายตัวของตัวเก็บประจุ (สูงสุด)	425 V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด)	40 A
ปัจจุบัน - นักสะสมพัลซิ่ง (Icm)	80 A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic	2V @ 4.5V, 20A
กำลัง - สูงสุด	200 W
การเปลี่ยนพลังงาน	11.8mJ (off)
ประเภทอินพุต	Standard
ค่าประตู	51 nC
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C	2.3µs/2µs
เงื่อนไขการทดสอบ	250V, 20A, 1kOhm, 4.5V
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr)	-
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจ / กรณี	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	D2PAK

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	STGB19NC60KT4 STMicroelectronics
	STGB3NB60KDT4 STMicroelectronics
	STGB15H60DF STMicroelectronics
	STGB10NC60KT4 STMicroelectronics
	STGB7NC60HT4 STMicroelectronics
	STGB20M65DF2 STMicroelectronics
	STGB7NC60HDT4 STMicroelectronics
	STGB30H65FB STMicroelectronics
	STGB20NB41LZT4 STMicroelectronics
	STGB20NC60VT4 STMicroelectronics

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว