HGT1S7N60A4DS

สังเกต: Rochester Electronics HGT1S7N60A4DS มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Tube
สถานะชิ้นส่วน	Obsolete
ประเภท IGBT	-
แรงดันไฟฟ้า - การสลายตัวของตัวเก็บประจุ (สูงสุด)	600 V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด)	34 A
ปัจจุบัน - นักสะสมพัลซิ่ง (Icm)	56 A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 7A
กำลัง - สูงสุด	125 W
การเปลี่ยนพลังงาน	55µJ (on), 60µJ (off)
ประเภทอินพุต	Standard
ค่าประตู	37 nC
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C	11ns/100ns
เงื่อนไขการทดสอบ	390V, 7A, 25Ohm, 15V
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr)	34 ns
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจ / กรณี	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TO-263AB

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 712

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	HGT1S7N60C3DS Rochester Electronics
	HGT1S20N35G3VLS Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	HGT1S14N36G3VLS Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	HGT1S14N41G3VLS Rochester Electronics
	HGT1S12N60C3DS Rochester Electronics
	HGT1S7N60A4DS Rochester Electronics
	HGT1S10N120BNS Rochester Electronics
	HGT1S14N36G3VLT_NL Rochester Electronics
	HGT1S7N60A4DS9A Rochester Electronics
	HGT1S20N36G3VLS Rochester Electronics

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว