STGYA120M65DF2

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	STGYA120M65DF2
ผู้ผลิต:	STMicroelectronics
ส่วนหนึ่งของคำอธิบาย:	TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
แผ่นข้อมูล:	STGYA120M65DF2 แผ่นข้อมูล
สถานะไร้สารตะกั่ว / สถานะ RoHS:	ไร้สารตะกั่ว / ได้มาตรฐาน RoHS
สภาพสต็อค:	มีสินค้า
จัดส่งจาก:	Hong Kong
วิธีการจัดส่ง:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

สังเกต: STMicroelectronics STGYA120M65DF2 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	M
แพ็คเกจ	Tube
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท IGBT	NPT, Trench Field Stop
แรงดันไฟฟ้า - การสลายตัวของตัวเก็บประจุ (สูงสุด)	650 V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด)	160 A
ปัจจุบัน - นักสะสมพัลซิ่ง (Icm)	360 A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic	1.95V @ 15V, 120A
กำลัง - สูงสุด	625 W
การเปลี่ยนพลังงาน	1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
ประเภทอินพุต	Standard
ค่าประตู	420 nC
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C	66ns/185ns
เงื่อนไขการทดสอบ	400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr)	202 ns
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจ / กรณี	TO-247-3 Exposed Pad
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	MAX247™

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 587

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	STGYA120M65DF2 STMicroelectronics
	STGY50NC60WD STMicroelectronics
	STGYA120M65DF2AG STMicroelectronics
	STGY40NC60VD STMicroelectronics

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว