HGTP2N120CN

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	HGTP2N120CN
ผู้ผลิต:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ส่วนหนึ่งของคำอธิบาย:	IGBT 1200V 13A 104W TO220AB
แผ่นข้อมูล:	HGTP2N120CN แผ่นข้อมูล
สถานะไร้สารตะกั่ว / สถานะ RoHS:	ไร้สารตะกั่ว / ได้มาตรฐาน RoHS
สภาพสต็อค:	มีสินค้า
จัดส่งจาก:	Hong Kong
วิธีการจัดส่ง:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

สังเกต: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor HGTP2N120CN มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Tube
สถานะชิ้นส่วน	Obsolete
ประเภท IGBT	NPT
แรงดันไฟฟ้า - การสลายตัวของตัวเก็บประจุ (สูงสุด)	1200 V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด)	13 A
ปัจจุบัน - นักสะสมพัลซิ่ง (Icm)	20 A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic	2.4V @ 15V, 2.6A
กำลัง - สูงสุด	104 W
การเปลี่ยนพลังงาน	96µJ (on), 355µJ (off)
ประเภทอินพุต	Standard
ค่าประตู	30 nC
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C	25ns/205ns
เงื่อนไขการทดสอบ	960V, 2.6A, 51Ohm, 15V
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr)	-
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจ / กรณี	TO-220-3
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TO-220-3

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	HGTP14N44G3VL Rochester Electronics
	HGTP7N60A4 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	HGTP5N120CN Rochester Electronics
	HGTP12N60A4D Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	HGTP2N120CN Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	HGTP12N60A4 Rochester Electronics
	HGTP20N35G3VL Rochester Electronics
	HGTP7N60A4D Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	HGTP7N60A4-F102 Rochester Electronics
	HGTP3N60B3 Rochester Electronics

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว