HGTG18N120BND

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	HGTG18N120BND
ผู้ผลิต:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ส่วนหนึ่งของคำอธิบาย:	IGBT 1200V 54A 390W TO247
แผ่นข้อมูล:	HGTG18N120BND แผ่นข้อมูล
สถานะไร้สารตะกั่ว / สถานะ RoHS:	ไร้สารตะกั่ว / ได้มาตรฐาน RoHS
สภาพสต็อค:	มีสินค้า
จัดส่งจาก:	Hong Kong
วิธีการจัดส่ง:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

สังเกต: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor HGTG18N120BND มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Tube
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท IGBT	NPT
แรงดันไฟฟ้า - การสลายตัวของตัวเก็บประจุ (สูงสุด)	1200 V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด)	54 A
ปัจจุบัน - นักสะสมพัลซิ่ง (Icm)	160 A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 18A
กำลัง - สูงสุด	390 W
การเปลี่ยนพลังงาน	1.9mJ (on), 1.8mJ (off)
ประเภทอินพุต	Standard
ค่าประตู	165 nC
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C	23ns/170ns
เงื่อนไขการทดสอบ	960V, 18A, 3Ohm, 15V
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr)	75 ns
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจ / กรณี	TO-247-3
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TO-247-3

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 448

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	HGTG12N60C3D Rochester Electronics
	HGTG20N60B3 Rochester Electronics
	HGTG20N60A4D Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	HGTG20N60B3D Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	HGTG30N60B3_NL Rochester Electronics
	HGTG30N60B3 Rochester Electronics
	HGTG30N60A4 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	HGTG7N60A4 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	HGTG7N60A4D Rochester Electronics
	HGTG18N120BN Rochester Electronics

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว