FGB7N60UNDF

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	FGB7N60UNDF
ผู้ผลิต:	Rochester Electronics
ส่วนหนึ่งของคำอธิบาย:	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
แผ่นข้อมูล:	FGB7N60UNDF แผ่นข้อมูล
สถานะไร้สารตะกั่ว / สถานะ RoHS:	ไร้สารตะกั่ว / ได้มาตรฐาน RoHS
สภาพสต็อค:	มีสินค้า
จัดส่งจาก:	Hong Kong
วิธีการจัดส่ง:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

สังเกต: Rochester Electronics FGB7N60UNDF มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท IGBT	NPT
แรงดันไฟฟ้า - การสลายตัวของตัวเก็บประจุ (สูงสุด)	600 V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด)	14 A
ปัจจุบัน - นักสะสมพัลซิ่ง (Icm)	21 A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic	2.3V @ 15V, 7A
กำลัง - สูงสุด	83 W
การเปลี่ยนพลังงาน	99µJ (on), 104µJ (off)
ประเภทอินพุต	Standard
ค่าประตู	18 nC
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C	5.9ns/32.3ns
เงื่อนไขการทดสอบ	400V, 7A, 10Ohm, 15V
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr)	32.3 ns
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจ / กรณี	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TO-263AB (D²PAK)

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 994

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	FGB7N60UNDF Rochester Electronics

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว