STGWA75H65DFB2

สังเกต: STMicroelectronics STGWA75H65DFB2 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	HB2
แพ็คเกจ	Tube
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท IGBT	Trench Field Stop
แรงดันไฟฟ้า - การสลายตัวของตัวเก็บประจุ (สูงสุด)	650 V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด)	115 A
ปัจจุบัน - นักสะสมพัลซิ่ง (Icm)	225 A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 75A
กำลัง - สูงสุด	357 W
การเปลี่ยนพลังงาน	1.428mJ (on), 1.05mJ (off)
ประเภทอินพุต	Standard
ค่าประตู	207 nC
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C	28ns/100ns
เงื่อนไขการทดสอบ	400V, 75A, 2.2Ohm, 15V
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr)	88 ns
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจ / กรณี	TO-247-3
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TO-247 Long Leads

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	STGW80H65FB-4 STMicroelectronics
	STGW50NC60W STMicroelectronics
	STGW8M120DF3 STMicroelectronics
	STGW50H60DF STMicroelectronics
	STGW40NC60WD STMicroelectronics
	STGW38IH130D STMicroelectronics
	STGWA60V60DF STMicroelectronics
	STGW40H65FB STMicroelectronics
	STGWT60H65DFB STMicroelectronics
	STGW20NC60VD STMicroelectronics

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว