FGD3N60LSDTM-T

สังเกต: Rochester Electronics FGD3N60LSDTM-T มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท IGBT	-
แรงดันไฟฟ้า - การสลายตัวของตัวเก็บประจุ (สูงสุด)	600 V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด)	6 A
ปัจจุบัน - นักสะสมพัลซิ่ง (Icm)	25 A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic	1.5V @ 10V, 3A
กำลัง - สูงสุด	40 W
การเปลี่ยนพลังงาน	250µJ (on), 1mJ (off)
ประเภทอินพุต	Standard
ค่าประตู	12.5 nC
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C	40ns/600ns
เงื่อนไขการทดสอบ	480V, 3A, 470Ohm, 10V
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr)	234 ns
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจ / กรณี	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TO-252, (D-Pak)

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 12500

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	FGD3050G2V Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FGD3040G2-F085 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FGD3N60LSDTM Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FGD3040G2_SN00297 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FGD3040G2 Rochester Electronics
	FGD3325G2-F085V Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FGD3N60UNDF Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FGD3440G2 Rochester Electronics
	FGD3440G2-F085V Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FGD3325G2-F085 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว