FGA50N100BNTDTU

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	FGA50N100BNTDTU
ผู้ผลิต:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ส่วนหนึ่งของคำอธิบาย:	IGBT 1000V 50A 156W TO3P
แผ่นข้อมูล:	FGA50N100BNTDTU แผ่นข้อมูล
สถานะไร้สารตะกั่ว / สถานะ RoHS:	ไร้สารตะกั่ว / ได้มาตรฐาน RoHS
สภาพสต็อค:	มีสินค้า
จัดส่งจาก:	Hong Kong
วิธีการจัดส่ง:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

สังเกต: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FGA50N100BNTDTU มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Tube
สถานะชิ้นส่วน	Last Time Buy
ประเภท IGBT	NPT and Trench
แรงดันไฟฟ้า - การสลายตัวของตัวเก็บประจุ (สูงสุด)	1000 V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด)	50 A
ปัจจุบัน - นักสะสมพัลซิ่ง (Icm)	100 A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic	2.9V @ 15V, 60A
กำลัง - สูงสุด	156 W
การเปลี่ยนพลังงาน	-
ประเภทอินพุต	Standard
ค่าประตู	275 nC
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C	-
เงื่อนไขการทดสอบ	-
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr)	1.5 µs
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจ / กรณี	TO-3P-3, SC-65-3
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TO-3P

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 890

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	FGA5065ADF Rochester Electronics
	FGA50N100BNTD2 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FGA50N60LS Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FGA50T65SHD Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FGA50S110P Rochester Electronics
	FGA50N100BNTDTU Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FGA50N100BNTTU Rochester Electronics

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว