RFV12TG6SGC9

สังเกต: ROHM Semiconductor RFV12TG6SGC9 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Tube
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภทไดโอด	Standard
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด)	600 V
ปัจจุบัน - ค่าเฉลี่ยแก้ไข (Io)	12A
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า	2.8 V @ 12 A
ความเร็ว	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr)	45 ns
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr	10 µA @ 600 V
ความจุ @ Vr, F	-
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจ / กรณี	TO-220-2
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TO-220ACFP
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก	150°C (Max)

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 983

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	RFV12TG6SGC9 ROHM Semiconductor
	RFV15TJ6SGC9 ROHM Semiconductor
	RFV15TG6SGC9 ROHM Semiconductor
	RFV12TJ6SGC9 ROHM Semiconductor

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว