APT30SCD120B

สังเกต: Microsemi APT30SCD120B มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Tube
สถานะชิ้นส่วน	Obsolete
ประเภทไดโอด	Silicon Carbide Schottky
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด)	1200 V
ปัจจุบัน - ค่าเฉลี่ยแก้ไข (Io)	99A (DC)
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า	1.8 V @ 30 A
ความเร็ว	No Recovery Time > 500mA (Io)
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr)	0 ns
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr	600 µA @ 1200 V
ความจุ @ Vr, F	2100pF @ 0V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจ / กรณี	TO-247-2
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TO-247
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก	-55°C ~ 150°C

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	APT30D30BG Roving Networks / Microchip Technology
	APT30D120BG Roving Networks / Microchip Technology
	APT30DQ100BG Roving Networks / Microchip Technology
	APT30SCD120B Microsemi
	APT30S20SG Microsemi
	APT30D60SG Roving Networks / Microchip Technology
	APT30DQ60BG Roving Networks / Microchip Technology
	APT30D20SG Roving Networks / Microchip Technology
	APT30DQ100KG Roving Networks / Microchip Technology
	APT30S20BG Roving Networks / Microchip Technology

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว