1N645

สังเกต: Solid State Inc. 1N645 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Box
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภทไดโอด	Standard
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด)	225 V
ปัจจุบัน - ค่าเฉลี่ยแก้ไข (Io)	400mA
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า	1 V @ 400 mA
ความเร็ว	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr)	-
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr	200 nA @ 225 V
ความจุ @ Vr, F	15pF @ 4V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจ / กรณี	DO-204AH, DO-35, Axial
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	DO-35
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก	-65°C ~ 175°C

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 450

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	1N6482HE3/96 Vishay General Semiconductor – Diodes Division
	1N645 Solid State Inc.
	1N6482HE3/97 Vishay General Semiconductor – Diodes Division
	1N648-1 Roving Networks / Microchip Technology
	1N6484HE3/97 Vishay General Semiconductor – Diodes Division
	1N645-1 Roving Networks / Microchip Technology
	1N6484-E3/97 Vishay General Semiconductor – Diodes Division
	1N6483-E3/96 Vishay General Semiconductor – Diodes Division
	1N649UR-1 Roving Networks / Microchip Technology
	1N6483HE3/97 Vishay General Semiconductor – Diodes Division

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว