RFN30TS6SGC11

สังเกต: ROHM Semiconductor RFN30TS6SGC11 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภทไดโอด	Standard
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด)	600 V
ปัจจุบัน - ค่าเฉลี่ยแก้ไข (Io)	30A
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า	1.55 V @ 30 A
ความเร็ว	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr)	60 ns
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr	10 µA @ 600 V
ความจุ @ Vr, F	-
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจ / กรณี	TO-247-3
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TO-247
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก	150°C (Max)

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 37

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	RFN3BM2SFHTL ROHM Semiconductor
	RFN30TS6SGC11 ROHM Semiconductor
	RFN3BM6SFHTL ROHM Semiconductor
	RFN3BM2STL ROHM Semiconductor
	RFN3BGE6STL ROHM Semiconductor
	RFN3BM6STL ROHM Semiconductor
	RFN3B2STL ROHM Semiconductor
	RFN3B6STL ROHM Semiconductor

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว