RFUH25TB3SNZC9

สังเกต: ROHM Semiconductor RFUH25TB3SNZC9 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Tube
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภทไดโอด	Standard
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด)	350 V
ปัจจุบัน - ค่าเฉลี่ยแก้ไข (Io)	20A
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า	1.45 V @ 20 A
ความเร็ว	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr)	30 ns
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr	10 µA @ 350 V
ความจุ @ Vr, F	-
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจ / กรณี	TO-220-2 Full Pack
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TO-220FN-2
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก	150°C

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	RFUH10NS4STL ROHM Semiconductor
	RFUH25NS3STL ROHM Semiconductor
	RFUH20NS6SFHTL ROHM Semiconductor
	RFUH25TB3SNZC9 ROHM Semiconductor
	RFUH20NS6STL ROHM Semiconductor
	RFUH10TF6SFHC9 ROHM Semiconductor
	RFUH5TF6SFHC9 ROHM Semiconductor
	RFUH10TF6S ROHM Semiconductor
	RFUH10NS4SFHTL ROHM Semiconductor
	RFUH20TJ6SGC9 ROHM Semiconductor

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว