IDB18E120ATMA1

สังเกต: Rochester Electronics IDB18E120ATMA1 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภทไดโอด	Standard
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด)	1200 V
ปัจจุบัน - ค่าเฉลี่ยแก้ไข (Io)	31A (DC)
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า	2.15 V @ 18 A
ความเร็ว	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr)	195 ns
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr	100 µA @ 1200 V
ความจุ @ Vr, F	-
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจ / กรณี	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	PG-TO263-3-2
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก	-55°C ~ 150°C

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 5000

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	IDB15E60 IR (Infineon Technologies)
	IDB10S60C IR (Infineon Technologies)
	IDB10S60CATMA2 Rochester Electronics
	IDB18E120ATMA1 Rochester Electronics
	IDB15E60ATMA1 Rochester Electronics
	IDB12E120ATMA1 Rochester Electronics
	IDB18E120 Rochester Electronics

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว