1N6095R

สังเกต: GeneSiC Semiconductor 1N6095R มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภทไดโอด	Schottky, Reverse Polarity
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด)	30 V
ปัจจุบัน - ค่าเฉลี่ยแก้ไข (Io)	25A
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า	580 mV @ 25 A
ความเร็ว	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr)	-
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr	2 mA @ 20 V
ความจุ @ Vr, F	-
ประเภทการติดตั้ง	Chassis, Stud Mount
แพ็คเกจ / กรณี	DO-203AA, DO-4, Stud
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	DO-4
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก	-55°C ~ 150°C

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 1

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	1N6073 Semtech
	1N6075 Roving Networks / Microchip Technology
	1N6081 Semtech
	1N6080 Roving Networks / Microchip Technology
	1N60A NTE Electronics, Inc.
	1N6098 GeneSiC Semiconductor
	1N6095R GeneSiC Semiconductor
	1N6074 Roving Networks / Microchip Technology
	1N6077 Roving Networks / Microchip Technology
	1N6074US Roving Networks / Microchip Technology

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว