RFN10TF6S

สังเกต: ROHM Semiconductor RFN10TF6S มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Not For New Designs
ประเภทไดโอด	Standard
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด)	600 V
ปัจจุบัน - ค่าเฉลี่ยแก้ไข (Io)	10A
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า	1.55 V @ 10 A
ความเร็ว	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr)	50 ns
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr	10 µA @ 600 V
ความจุ @ Vr, F	-
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจ / กรณี	TO-220-2
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TO-220NFM
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก	150°C (Max)

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	RFN1LAM6STR ROHM Semiconductor
	RFN1LAM7STFTR ROHM Semiconductor
	RFN1L6STE25 ROHM Semiconductor
	RFN1L7SDDTE25 ROHM Semiconductor
	RFN10B3STL ROHM Semiconductor
	RFN1LAM6STFTR ROHM Semiconductor
	RFN10TF6SFHC9 ROHM Semiconductor
	RFN1L7STE25 ROHM Semiconductor
	RFN10NS6SFHTL ROHM Semiconductor
	RFN10BM3STL ROHM Semiconductor

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว