RBR10T30ANZC9

สังเกต: ROHM Semiconductor RBR10T30ANZC9 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Tube
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภทไดโอด	Schottky
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด)	30 V
ปัจจุบัน - ค่าเฉลี่ยแก้ไข (Io)	10A
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า	550 mV @ 5 A
ความเร็ว	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr)	-
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr	100 µA @ 30 V
ความจุ @ Vr, F	-
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจ / กรณี	TO-220-3 Full Pack
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TO-220FN
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก	150°C (Max)

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 929

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	RBR1MM40ATR ROHM Semiconductor
	RBR1LAM30ATR ROHM Semiconductor
	RBR1L30ADDTE25 ROHM Semiconductor
	RBR1LAM30ATFTR ROHM Semiconductor
	RBR1L30ATE25 ROHM Semiconductor
	RBR1MM40ATFTR ROHM Semiconductor
	RBR1MM60ATR ROHM Semiconductor
	RBR1L40ATE25 ROHM Semiconductor
	RBR1LAM40ATR ROHM Semiconductor
	RBR1MM30ATFTR ROHM Semiconductor

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว