BFU660F,115

สังเกต: NXP Semiconductors BFU660F,115 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภททรานซิสเตอร์	NPN
แรงดันไฟฟ้า - การสลายตัวของตัวเก็บประจุ (สูงสุด)	5.5V
ความถี่ - การเปลี่ยน	21GHz
รูปสัญญาณรบกวน (dB Typ @ f)	0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
กำไร	12dB ~ 21dB
กำลัง - สูงสุด	225mW
DC Current Gain (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce	90 @ 10mA, 2V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด)	60mA
อุณหภูมิในการทำงาน	150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจ / กรณี	SOT-343F
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	4-DFP

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 5949

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว