BFY193PZZZA1

สังเกต: IR (Infineon Technologies) BFY193PZZZA1 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Obsolete
ประเภททรานซิสเตอร์	NPN
แรงดันไฟฟ้า - การสลายตัวของตัวเก็บประจุ (สูงสุด)	12V
ความถี่ - การเปลี่ยน	7.5GHz
รูปสัญญาณรบกวน (dB Typ @ f)	2.3dB ~ 2.9dB @ 2GHz
กำไร	12.5dB ~ 13.5dB
กำลัง - สูงสุด	580mW
DC Current Gain (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce	50 @ 30mA, 8V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด)	80mA
อุณหภูมิในการทำงาน	200°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจ / กรณี	MICRO-X1
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	MICRO-X1

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	BFY193PZZZA1 IR (Infineon Technologies)

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว