A2G35S160-01SR3

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	A2G35S160-01SR3
ผู้ผลิต:	NXP Semiconductors
ส่วนหนึ่งของคำอธิบาย:	AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
แผ่นข้อมูล:	A2G35S160-01SR3 แผ่นข้อมูล
สถานะไร้สารตะกั่ว / สถานะ RoHS:	ไร้สารตะกั่ว / ได้มาตรฐาน RoHS
สภาพสต็อค:	มีสินค้า
จัดส่งจาก:	Hong Kong
วิธีการจัดส่ง:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

สังเกต: NXP Semiconductors A2G35S160-01SR3 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภททรานซิสเตอร์	LDMOS
ความถี่	3.4GHz ~ 3.6GHz
กำไร	15.7dB
แรงดันไฟฟ้า - ทดสอบ	48 V
คะแนนปัจจุบัน (แอมป์)	-
รูปเสียง	-
ปัจจุบัน - การทดสอบ	190 mA
กำลัง - เอาท์พุต	51dBm
แรงดันไฟฟ้า - จัดอันดับ	125 V
แพ็คเกจ / กรณี	NI-400S-2S
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	NI-400S-2S

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 224

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	A2G35S160-01SR3 NXP Semiconductors
	A2G35S200-01SR3 NXP Semiconductors

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว