RBR10BGE40ATL

สังเกต: ROHM Semiconductor RBR10BGE40ATL มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
สถานะชิ้นส่วน	Active
การกำหนดค่าไดโอด	1 Pair Common Cathode
ประเภทไดโอด	Schottky
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด)	40 V
ปัจจุบัน - ค่าเฉลี่ยแก้ไข (ไอโอ) (ต่อไดโอด)	10A
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า	620 mV @ 5 A
ความเร็ว	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr)	-
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr	120 µA @ 40 V
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก	150°C
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจ / กรณี	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TO-252GE

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	RBR10BGE40ATL ROHM Semiconductor
	RBR15BM40AFHTL ROHM Semiconductor
	RBR10NS30AFHTL ROHM Semiconductor
	RBR10NS60AFHTL ROHM Semiconductor
	RBR15BM30AFHTL ROHM Semiconductor
	RBR10NS60ATL ROHM Semiconductor
	RBR10T60ANZC9 ROHM Semiconductor
	RBR15BM30ATL ROHM Semiconductor
	RBR10BGE30ATL ROHM Semiconductor
	RBR10NS30ATL ROHM Semiconductor

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว