MUR20010CTR

สังเกต: GeneSiC Semiconductor MUR20010CTR มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Active
การกำหนดค่าไดโอด	1 Pair Common Anode
ประเภทไดโอด	Schottky
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด)	100 V
ปัจจุบัน - ค่าเฉลี่ยแก้ไข (ไอโอ) (ต่อไดโอด)	200A (DC)
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า	1.3 V @ 100 A
ความเร็ว	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr)	75 ns
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr	25 µA @ 50 V
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก	-55°C ~ 150°C
ประเภทการติดตั้ง	Chassis Mount
แพ็คเกจ / กรณี	Twin Tower
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	Twin Tower

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	MUR20010CTR GeneSiC Semiconductor
	MUR2X100A10 GeneSiC Semiconductor
	MUR2X120A02 GeneSiC Semiconductor
	MUR2X100A04 GeneSiC Semiconductor
	MUR2X100A06 GeneSiC Semiconductor
	MUR2X030A12 GeneSiC Semiconductor
	MUR2X120A10 GeneSiC Semiconductor
	MUR2X060A06 GeneSiC Semiconductor
	MUR2X120A04 GeneSiC Semiconductor
	MUR2X120A12 GeneSiC Semiconductor

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว