MURT10060

สังเกต: GeneSiC Semiconductor MURT10060 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Active
การกำหนดค่าไดโอด	-
ประเภทไดโอด	Standard
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด)	600 V
ปัจจุบัน - ค่าเฉลี่ยแก้ไข (ไอโอ) (ต่อไดโอด)	100A (DC)
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า	1.7 V @ 100 A
ความเร็ว	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr)	75 ns
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr	25 µA @ 50 V
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก	-40°C ~ 175°C
ประเภทการติดตั้ง	Chassis Mount
แพ็คเกจ / กรณี	Three Tower
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	Three Tower

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	MURTA30020 GeneSiC Semiconductor
	MURTA30040R GeneSiC Semiconductor
	MURT40020R GeneSiC Semiconductor
	MURTA200120 GeneSiC Semiconductor
	MURTA30040 GeneSiC Semiconductor
	MURTA60020 GeneSiC Semiconductor
	MURTA20060R GeneSiC Semiconductor
	MURTA50060 GeneSiC Semiconductor
	MURTA30060 GeneSiC Semiconductor
	MURT10060 GeneSiC Semiconductor

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว