MBR60080CT

สังเกต: GeneSiC Semiconductor MBR60080CT มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Active
การกำหนดค่าไดโอด	1 Pair Common Cathode
ประเภทไดโอด	Schottky
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด)	80 V
ปัจจุบัน - ค่าเฉลี่ยแก้ไข (ไอโอ) (ต่อไดโอด)	300A
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า	880 mV @ 300 A
ความเร็ว	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr)	-
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr	1 mA @ 20 V
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก	-
ประเภทการติดตั้ง	Chassis Mount
แพ็คเกจ / กรณี	Twin Tower
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	Twin Tower

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	MBR6045PTHC0G TSC (Taiwan Semiconductor)
	MBR60100CT SMC Diode Solutions
	MBR6035PTHC0G TSC (Taiwan Semiconductor)
	MBR6060WT SMC Diode Solutions
	MBR6060PT C0G TSC (Taiwan Semiconductor)
	MBR6060PTHC0G TSC (Taiwan Semiconductor)
	MBR60060CTR GeneSiC Semiconductor
	MBR60045CTRL GeneSiC Semiconductor
	MBR600100CTR GeneSiC Semiconductor
	MBR60080CT GeneSiC Semiconductor

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว