SBAS16DXV6T1G

สังเกต: Rochester Electronics SBAS16DXV6T1G มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Active
การกำหนดค่าไดโอด	2 Independent
ประเภทไดโอด	Standard
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด)	100 V
ปัจจุบัน - ค่าเฉลี่ยแก้ไข (ไอโอ) (ต่อไดโอด)	200mA (DC)
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า	1.25 V @ 150 mA
ความเร็ว	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr)	6 ns
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr	1 µA @ 100 V
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก	-55°C ~ 150°C
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจ / กรณี	SOT-563, SOT-666
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	SOT-563

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	SBAS16DXV6T1G Rochester Electronics
	SBAS40-04LT1G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	SBAS21DW5T3G Rochester Electronics
	SBAS40-06LT1 Rochester Electronics
	SBAS70-04LT1G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	SBAS21DW5T1G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	SBAS40-06LT1G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว